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STD13NM60ND /MOSFET N-CH 600V 0.32Ohm 11A MDmesh II Plus
STD13NM60ND的规格信息
STD13NM60ND的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:11 A

Rds On-漏源导通电阻:380 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:24.5 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:109 W

配置:Single

封装:Tube

系列:STD13NM60ND

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:15.4 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:10 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:9.6 ns

典型接通延迟时间:46.5 ns

单位重量:4 g

供应商STD13NM60ND
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上海三崧电子有限公司STD13NM60ND上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
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深圳市芯幂科技有限公司STD13NM60ND深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司STD13NM60ND深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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深圳市辰芯伟业科技有限公司STD13NM60ND华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		STD13NM60NDSTMicroelectronicsFET - 单 FDmesh?? II 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH 600V 0.32Ohm 11A MDmesh II Plus1+:￥26.2599
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