STD13N60M2的供应商，STD13N60M2规格参数，STD13N60M2的PDF资料

STD13N60M2 /MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2

STD13N60M2的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:11 A

Rds On-漏源导通电阻:380 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:17 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:110 W

配置:Single

商标名:MDmesh

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:STD13N60M2

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:9.5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:10 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:41 ns

典型接通延迟时间:11 ns

单位重量:4 g

STD13N60M2

STD13N60M2的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	STD13N60M2	www.nowchip.com	0755-27381274 18098996457	董先生	询价
深圳市芯幂科技有限公司	STD13N60M2	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市鑫智腾创科技有限公司	STD13N60M2	深圳市福田区红荔路上航大厦西座410-8	13066809747 13066809747	李小姐	询价
深圳市荣创芯微科技有限公司	STD13N60M2	深圳市福田区华强北都会B做12N	0755-82501483 15818715186	郭小姐	询价
深圳市佳威星科技有限公司	STD13N60M2	深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C	0755-83045910 13724343501	胡小姐	询价
深圳市辉华拓展电子有限公司	STD13N60M2	深圳市福田区航都大厦25F	0755-82790891 18126117392	陈晓玲	询价
深圳市坤融电子有限公司	STD13N60M2	航都大厦10I	0755-23990975 13926529829，17318082080	肖瑶，树平	询价
深圳市天卓伟业电子有限公司	STD13N60M2	深圳市福田区华强北路1019号A座13楼	0755-82573552 17302670049	陈敏	询价
深圳和润天下电子科技有限公司	STD13N60M2	深港合作区前湾一路1号A栋201室	13378422395，19129491930	蔡经理，张小姐	询价
集好芯城	STD13N60M2	深圳市福田区航都大厦25F	0755-82564006 18188616613	郑小姐	询价
集好芯城	STD13N60M2	深圳市福田区航都大厦25F	4008626627 13360071553	陈泽辉	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	STD13N60M2	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
芯莱德电子（香港）有限公司	STD13N60M2	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	STD13N60M2	深圳市福田区航都大厦10B	13352985419 13352985419	木易	询价
深圳市辉华拓展电子有限公司	STD13N60M2	深圳市福田区航都大厦25F	0755-83289799 18129819897	蔡小姐	询价
深圳市仓实科技有限公司	STD13N60M2	深圳市福田区福田街道	17080955875	李先生	询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司	STD13N60M2	深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F19	19854773352 19854773352	罗先生	询价
深圳诚思涵科技有限公司	STD13N60M2	深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室	0755-23947236/83015506 15302723671/15820783671	曾小姐	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	STD13N60M2	深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室	0755-83616256 / 83210909 13725570869	朱小姐	询价
深圳市赛美科科技有限公司	STD13N60M2	广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A595	0755-28309323 13480875861	雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话	询价

STD13N60M2及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
STD13N60M2	Extremely low gate charge	STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]		1108.29 Kbytes	共23页		无

STD13N60M2的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
ChipOneStop	STD13N60M2	STMicroelectronics	FET - 单 MDmesh? II Plus 分立半导体产品半导体 MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A MDmesh II Plus	2500+:￥7.5001 5000+:￥7.19 10000+:￥6.911+:￥13.67 10+:￥11.02 100+:￥8.78 500+:￥8.78 1000+:￥8.1801 2500+:￥7.51 5000+:￥7.44 10000+:￥7.15 25000+:￥6.942500+:￥9.06
Digi-Key 得捷电子	STD13N60M2	STMicroelectronics	MOSFET N-CH 600V 11A DPAK	$2.47000
Digi-Key 得捷电子	STD13N60M2	STMicroelectronics	FET - 单 MDmesh? II Plus 分立半导体产品半导体 MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A MDmesh II Plus	2500+:￥7.5001 5000+:￥7.19 10000+:￥6.91
Future(富昌)	STD13N60M2	STMicroelectronics	FET - 单 MDmesh? II Plus 分立半导体产品半导体 MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A MDmesh II Plus	2500+:￥7.5001 5000+:￥7.19 10000+:￥6.911+:￥13.67 10+:￥11.02 100+:￥8.78 500+:￥8.78 1000+:￥8.1801 2500+:￥7.51 5000+:￥7.44 10000+:￥7.15 25000+:￥6.942500+:￥9.062500+:￥6.43
Mouser 贸泽电子	STD13N60M2	STMicroelectronics	FET - 单 MDmesh? II Plus 分立半导体产品半导体 MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A MDmesh II Plus	2500+:￥7.5001 5000+:￥7.19 10000+:￥6.911+:￥13.67 10+:￥11.02 100+:￥8.78 500+:￥8.78 1000+:￥8.1801 2500+:￥7.51 5000+:￥7.44 10000+:￥7.15 25000+:￥6.94
Mouser 贸泽电子	STD13N60M2	STMicroelectronics	MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2	1:¥17.1308 10:¥14.5996 100:¥11.6842 500:¥10.2152 2,500:¥7.8422 5,000:查看
RS(欧时)	STD13N60M2	STMicroelectronics	FET - 单 MDmesh? II Plus 分立半导体产品半导体 MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A MDmesh II Plus	2500+:￥7.5001 5000+:￥7.19 10000+:￥6.911+:￥13.67 10+:￥11.02 100+:￥8.78 500+:￥8.78 1000+:￥8.1801 2500+:￥7.51 5000+:￥7.44 10000+:￥7.15 25000+:￥6.942500+:￥9.062500+:￥6.4350+:￥13.38 250+:￥10.81 500+:￥9.78 2500+:￥9.5201
立创商城	STD13N60M2	ST(意法半导体)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：380mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：110W(Tc) 类型：N沟道	1+:￥4.92 10+:￥3.71 30+:￥3.48 100+:￥2.6406 500+:￥2.5596 1000+:￥2.5191

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