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STD13N60M2 /MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
STD13N60M2的规格信息
STD13N60M2的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:11 A

Rds On-漏源导通电阻:380 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:17 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:110 W

配置:Single

商标名:MDmesh

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:STD13N60M2

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:9.5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:10 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:41 ns

典型接通延迟时间:11 ns

单位重量:4 g

供应商STD13N60M2
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现代芯城(深圳)科技有限公司STD13N60M2www.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司STD13N60M2深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市鑫智腾创科技有限公司STD13N60M2深圳市福田区红荔路上航大厦西座410-813066809747
13066809747
李小姐Email:xiegp12@163.com询价
深圳市佳威星科技有限公司STD13N60M2深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
13724343501
胡小姐Email:jiaweixingic@126.com询价
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深圳市天卓伟业电子有限公司STD13N60M2深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司STD13N60M2航都大厦10I0755-23990975
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肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
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13352985419,19076157484
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深圳市毅创腾电子科技有限公司STD13N60M2深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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STD13N60M2STMicroelectronicsFET - 单 MDmesh? II Plus 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A MDmesh II Plus2500+:¥7.5001
5000+:¥7.19
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10+:¥11.02
100+:¥8.78
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STD13N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 11A DPAK$2.47000
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STD13N60M2STMicroelectronicsFET - 单 MDmesh? II Plus 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A MDmesh II Plus2500+:¥7.5001
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STD13N60M2STMicroelectronicsFET - 单 MDmesh? II Plus 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A MDmesh II Plus2500+:¥7.5001
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100+:¥8.78
500+:¥8.78
1000+:¥8.1801
2500+:¥7.51
5000+:¥7.44
10000+:¥7.15
25000+:¥6.942500+:¥9.062500+:¥6.43
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10+:¥11.02
100+:¥8.78
500+:¥8.78
1000+:¥8.1801
2500+:¥7.51
5000+:¥7.44
10000+:¥7.15
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Mouser 贸泽电子
STD13N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M21:¥17.1308
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RS(欧时)
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STD13N60M2ST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):11A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:380mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):110W(Tc) 类型:N沟道1+:¥4.92
10+:¥3.71
30+:¥3.48
100+:¥2.6406
500+:¥2.5596
1000+:¥2.5191