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SQM60N06-15-GE3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SQM60N06-15-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:800

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):56A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):15 毫欧 @ 30A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):50nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2480pF @ 25V

功率 - 最大值:107W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

供应商器件封装:TO-263(D2Pak)

供应商SQM60N06-15-GE3
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现代芯城(深圳)科技有限公司SQM60N06-15-GE3www.nowchip.com0755-27381274
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深圳市坤融电子有限公司SQM60N06-15-GE3航都大厦10I0755-23990975
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肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SQM60N06-15-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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上海三崧电子有限公司SQM60N06-15-GE3上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
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深圳市百域芯科技有限公司SQM60N06-15-GE3世纪汇都会轩45070755-82788062
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SQM60N06-15-GE3Vishay半导体 MOSFET 60V 60A 100W 15mohm @ 10V FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品800+:¥8.84011+:¥13.83
10+:¥11.1
100+:¥8.8599
500+:¥8.8599
800+:¥8.28
2400+:¥7.6
4800+:¥7.53
9600+:¥7.24
24800+:¥7.191+:¥12.74
10+:¥10.59
25+:¥9.3950+:¥20.98
250+:¥17.12
1000+:¥16.34
5000+:¥15.571+:¥8.06
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SQM60N06-15-GE3Vishay半导体 MOSFET 60V 60A 100W 15mohm @ 10V FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品800+:¥8.8401
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SQM60N06-15-GE3Vishay半导体 MOSFET 60V 60A 100W 15mohm @ 10V FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品800+:¥8.84011+:¥13.83
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2400+:¥7.6
4800+:¥7.53
9600+:¥7.24
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10+:¥10.59
25+:¥9.39
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100+:¥8.8599
500+:¥8.8599
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2400+:¥7.6
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RS(欧时)
SQM60N06-15-GE3Vishay半导体 MOSFET 60V 60A 100W 15mohm @ 10V FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品800+:¥8.84011+:¥13.83
10+:¥11.1
100+:¥8.8599
500+:¥8.8599
800+:¥8.28
2400+:¥7.6
4800+:¥7.53
9600+:¥7.24
24800+:¥7.191+:¥12.74
10+:¥10.59
25+:¥9.3950+:¥20.98
250+:¥17.12
1000+:¥16.34
5000+:¥15.57