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SQM50N04-4m0L_GE3 /MOSFET N-CHANNEL 40V 50A TO263
SQM50N04-4m0L_GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

SeriesAutomotive, AEC-Q101, TrenchFET®

PackageTape & Reel (TR)

FET TypeN-Channel

TechnologyMOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)40 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C50A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs4mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs130 nC @ 10 V

Vgs (Max)±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6100 pF @ 25 V

FET Feature-

Power Dissipation (Max)150W (Tc)

Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)

Mounting TypeSurface Mount

Supplier Device PackageTO-263 (D²Pak)

Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商SQM50N04-4m0L_GE3
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深圳市坤融电子有限公司SQM50N04-4M0L_GE3航都大厦10I0755-23990975
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Digi-Key 得捷电子
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SQM50N04-4m0L_GE3Vishay / SiliconixMOSFET 40 V 40A 150W AEC-Q101 Qualified800:¥7.684
2,400:¥7.2207
4,800:¥6.9495
9,600:¥6.6896