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SQM200N04-1M7L-GE3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SQM200N04-1M7L-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:800

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):40V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):200A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.7 毫欧 @ 30A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):291nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):11168pF @ 20V

功率 - 最大值:375W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片)

供应商器件封装:TO-263-7

供应商SQM200N04-1M7L-GE3
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SQM200N04-1M7L-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品800+:¥10.911+:¥16.4
10+:¥13.6
25+:¥12.25
100+:¥10.9
250+:¥10.1801
500+:¥9.7099
1000+:¥9.47
2500+:¥9.15
5000+:¥8.831+:¥10.5
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SQM200N04-1M7L-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品800+:¥10.911+:¥16.4
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100+:¥10.9
250+:¥10.1801
500+:¥9.7099
1000+:¥9.47
2500+:¥9.15
5000+:¥8.83