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SQM200N04-1m7L_GE3 /MOSFET 40V 200A 375 AEC-Q101 Qualified
SQM200N04-1m7L_GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-7

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Id-连续漏极电流:200 A

Rds On-漏源导通电阻:1.2 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:291 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:375 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:4.82 mm

长度:10.41 mm

系列:SQ

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:9.65 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:181 S

下降时间:16 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:17 ns

工厂包装数量:800

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:70 ns

典型接通延迟时间:22 ns

单位重量:1.600 g

供应商SQM200N04-1m7L_GE3
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深圳市芯幂科技有限公司SQM200N04-1M7L_GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SQM200N04-1m7L_GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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