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SQM10250E_GE3 /MOSFET 250V Vds 20V Vgs TO-263
SQM10250E_GE3的规格信息
SQM10250E_GE3的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:250 V

Id-连续漏极电流:65 A

Rds On-漏源导通电阻:24.4 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:50 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:375 W

配置:Single

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

商标:Vishay / Siliconix

下降时间:10 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:6 ns

工厂包装数量:800

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:38 ns

典型接通延迟时间:14 ns

供应商SQM10250E_GE3
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SQM10250E_GE3Vishay / SiliconixMOSFET 250V Vds 20V Vgs TO-2631:¥22.826
10:¥18.9049
100:¥15.594
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