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SQM100N10-10-GE3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SQM100N10-10-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:800

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:自动,AEC-Q101,TrenchFET®

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):100V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):10.5 毫欧 @ 30A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):185nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):8050pF @ 25V

功率 - 最大值:375W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

供应商器件封装:TO-263

供应商SQM100N10-10-GE3
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