制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-8x8L-4

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Id-连续漏极电流:100 A

Rds On-漏源导通电阻:2.9 mOhms, 2.9 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:75 nC, 75 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:75 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

商标名:TrenchFET

封装:Tube

高度:1.9 mm

长度:7.9 mm

系列:SQ

晶体管类型:2 N-Channel

宽度:6.22 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:80 S, 80 S

下降时间:4 ns, 4 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:4.6 ns, 4.6 ns

工厂包装数量:2000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:30 ns, 30 ns

典型接通延迟时间:15.5 ns, 15.5 ns