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SQ1912AEEH-T1_GE3 /MOSFET N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified
SQ1912AEEH-T1_GE3的规格信息
SQ1912AEEH-T1_GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-363-6

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:800 mA

Rds On-漏源导通电阻:200 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:450 mV

Vgs - 栅极-源极电压:12 V

Qg-栅极电荷:1.25 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:1.5 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1 mm

长度:2.1 mm

系列:SQ

晶体管类型:2 N-Channel

宽度:1.25 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:2.6 S

下降时间:390 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:108 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:715 ns

典型接通延迟时间:66 ns

单位重量:7.500 mg

供应商SQ1912AEEH-T1_GE3
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深圳市斌腾达科技有限公司SQ1912AEEH-T1_GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
上海三崧电子有限公司SQ1912AEEH-T1_GE3上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
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深圳市宇浩扬科技有限公司SQ1912AEEH-T1_GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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万三科技（深圳）有限公司SQ1912AEEH-T1_GE3深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C0755-21006672
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深圳市瑞浩芯科技有限公司SQ1912AEEH-T1_GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
深圳市华芯盛世科技有限公司SQ1912AEEH-T1_GE3深圳市福田区上步工业区201栋530室0755-23941632
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Mouser 贸泽电子		SQ1912AEEH-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified1:¥3.9211
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