制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-363-6

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:850 mA

Rds On-漏源导通电阻:210 mOhms, 788 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V, 2.6 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:1.4 nC, 1.6 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:1.5 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1 mm

长度:2.1 mm

系列:SQ

晶体管类型:1 N-Channel, 1 P-Channel

宽度:1.25 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:1.2 S, 0.6 S

下降时间:32 ns, 17 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:18 ns, 39 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:8 ns, 10 ns

典型接通延迟时间:3 ns, 4 ns

单位重量:7.500 mg