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SPW55N80C3FKSA1 /MOSFET N-Ch 850V 54.9A TO247-3
SPW55N80C3FKSA1的规格信息
SPW55N80C3FKSA1的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:800 V

Id-连续漏极电流:54.9 A

Rds On-漏源导通电阻:77 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.1 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:288 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:500 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:CoolMOS

封装:Tube

高度:21.1 mm

长度:16.13 mm

系列:CoolMOS C3

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5.21 mm

商标:Infineon Technologies

下降时间:9 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:21 ns

工厂包装数量:240

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:200 ns

典型接通延迟时间:45 ns

零件号别名:SP000849356 SPW55N80C3 SPW55N8C3XK

单位重量:38 g

供应商SPW55N80C3FKSA1
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Mouser 贸泽电子		SPW55N80C3FKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 850V 54.9A TO247-31:¥112.5706
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