系列：CoolMOS™

FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：52A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3.9V @ 2.7mA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：290nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：6800pF @ 25V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：417W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：70 毫欧 @ 30A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：PG-TO247-3

封装形式Package：TO-247

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：560V

连续漏极电流ID：52A

漏源电压（Vdss）：560V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：290nC

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：6800pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：25V

供应商器件封装：PG-TO247-3

无铅情况/RoHs：否