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SPP80N06S-08 /Infineon Technologies/分立半导体产品
SPP80N06S-08的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

数据列表:SP(B,I,P)80N06S-08

标准包装:500

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:SIPMOS®

包装:管件

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):55V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):80A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8 毫欧 @ 80A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):187nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3660pF @ 25V

功率 - 最大值:300W

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-220-3

供应商器件封装:PG-TO220-3

其它名称:SP000054054SP000084810SPP80N06S08SPP80N06S08AKSA1

供应商SPP80N06S-08
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SPP80N06S-08的全球分销商及价格
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SPP80N06S-08Infineon Technologies Americas Inc.- Rail/Tube500 : $1.243
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Digi-Key 得捷电子
SPP80N06S-08Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 55V 80A TO-220500 : $1.36676
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
SPP80N06S-08InfineonFET - 单 SIPMOS® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFET500+:¥9.94
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
SPP80N06S-08InfineonFET - 单 SIPMOS® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFET500+:¥9.941+:¥14
10+:¥11.3501
100+:¥9.0299
500+:¥9.0299
1000+:¥8.45
2500+:¥7.76
5000+:¥7.6
10000+:¥7.3501
25000+:¥7.31
元器件资料网-Rochester的LOGO
Rochester
SPP80N06S-08InfineonFET - 单 SIPMOS® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFET500+:¥9.941+:¥14
10+:¥11.3501
100+:¥9.0299
500+:¥9.0299
1000+:¥8.45
2500+:¥7.76
5000+:¥7.6
10000+:¥7.3501
25000+:¥7.311+:¥7.97
25+:¥7.9
50+:¥7.82
100+:¥7.75
300+:¥7.7099
500+:¥7.6701
1000+:¥7.6
5000+:¥7.53
元器件资料网-Rochester Electronics的LOGO
Rochester Electronics
SPP80N06S-08Infineon Technologies AGN/A500 : $1.29
1,000 : $1.23
元器件资料网-Wuhan P&S的LOGO
Wuhan P&S
SPP80N06S-08Infineon Technologies AG55V,80A,N-channel power MOSFET1 : $2.4
100 : $1.88
1,000 : $1.54