图像仅供参考,请参阅规格书
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-220-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Id-连续漏极电流:80 A
Rds On-漏源导通电阻:3.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压:20 V
Qg-栅极电荷:105 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:188 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封装:Tube
高度:15.65 mm
长度:10 mm
系列:SPP80N03
晶体管类型:1 N-Channel
宽度:4.4 mm
商标:Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值:11.5 S
下降时间:19 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:20 ns
工厂包装数量:500
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:54 ns
典型接通延迟时间:13 ns
零件号别名:SP000013902 SPP80N03S2L04AKSA1 SPP8N3S2L4XK
单位重量:6 g