安装风格：ThroughHole

封装/外壳：TO-220-3

通道数量：1Channel

晶体管极性：N-Channel

Vds-漏源极击穿电压：600V

Id-连续漏极电流：21.7A

Rds On-漏源导通电阻：185mOhms

Vgs - 栅极-源极电压：20V

最小工作温度：-55C

最大工作温度：+150C

配置：Single

Pd-功率耗散：240W

通道模式：Enhancement

高度：15.65mm

长度：10mm

系列：CoolMOSCFD

晶体管类型：1N-Channel

宽度：4.4mm

下降时间：9ns

上升时间：24ns

典型关闭延迟时间：100ns

典型接通延迟时间：50ns

RDS (on) max：185.0mΩ

IDpuls max：55.0A

VDS max：600.0V

ID max：21.7 A

RthJC max：0.52 K/W

Package：TO-220

QG：110.0nC

Operating Temperature min：-55.0°C

Ptot max：240.0W

Polarity：N

RthJA max：62.0K/W

VGS(th) min max：3.0 V 5.0 V

Mounting：THT

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs