Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C：20A

Drain to Source Voltage (Vdss)：650V

FET Feature：Standard

FET Type：MOSFET N-Channel, Metal Oxide

Gate Charge (Qg) @ Vgs：103nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) @ Vds：3000pF @ 25V

Mounting Type：Through Hole

Package / Case：TO-220-3

Power - Max：208W

Rds On (Max) @ Id, Vgs：190 mOhm @ 13A, 10V

Supplier Device Package：P-TO220AB

Vgs(th) (Max) @ Id：5.5V @ 1mA

最大门源电压：±20

安装：Through Hole

包装宽度：4.4

PCB：3

最大功率耗散：208000

最大漏源电压：600

欧盟RoHS指令：Supplier Unconfirmed

最大漏源电阻：190@10V

每个芯片的元件数：1

最低工作温度：-55

供应商封装形式：TO-220AB

标准包装名称：TO-220

最高工作温度：150

渠道类型：N

包装长度：10

引脚数：3

通道模式：Enhancement

包装高度：9.25

最大连续漏极电流：20

标签：Tab

铅形状：Through Hole