系列：SIPMOS®

FET类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：18.7A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 1mA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：28nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：860pF @ 25V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：81.1W（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：130 毫欧 @ 13.2A，10V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：PG-TO220-3

封装形式Package：TO-220

极性Polarity：P-CH

漏源极击穿电压VDSS：60V

连续漏极电流ID：18.7A

漏源电压（Vdss）：60V

供应商器件封装：PG-TO-220-3

无铅情况/RoHs：否