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SPP11N60C3XKSA1 /MOSFET N-Ch 600V 11A TO220-3
SPP11N60C3XKSA1的规格信息
SPP11N60C3XKSA1的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:11 A

Rds On-漏源导通电阻:380 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:45 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:125 W

配置:Single

商标名:CoolMOS

封装:Tube

高度:15.65 mm

长度:10 mm

产品:Cool MOS Power

系列:CoolMOS C3

晶体管类型:1 N-Channel

类型:Cool MOS Power Transistor

宽度:4.4 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:8.3 S

下降时间:5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:5 ns

工厂包装数量:500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:44 ns

典型接通延迟时间:10 ns

零件号别名:SP000681040 SPP11N60C3 SPP11N6C3XK

单位重量:6 g

供应商SPP11N60C3XKSA1
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集好芯城SPP11N60C3XKSA1深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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深圳市辉华拓展电子有限公司SPP11N60C3XKSA1深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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集好芯城SPP11N60C3XKSA1深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼4008626627
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深圳市斌腾达科技有限公司SPP11N60C3XKSA1深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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深圳市毅创腾电子科技有限公司SPP11N60C3XKSA1深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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SPP11N60C3XKSA1的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SPP11N60C3XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 650V 11A TO220-3$3.16000
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SPP11N60C3XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 11A TO220-31:¥21.8203
10:¥18.5998
100:¥16.0573
250:¥15.2889
500:¥13.673
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