SMF7N65
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.4Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):48W 类型:N沟道
SMF7N65的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)7A
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻1.4Ω @ 3.5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)48W
类型N沟道
SMF7N65
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SMF7N65 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.4Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):48W 类型:N沟道 | 华科HUAKE |  | 885.72 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
SMF7N65的全球分销商及价格
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 立创商城 | SMF7N65 | 华科HUAKE | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.4Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):48W 类型:N沟道 | 1+:¥1.5305 10+:¥1.1282 30+:¥1.0543 100+:¥0.9804 500+:¥0.9475 1000+:¥0.9313
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