SMF7N60
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.2Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):48W 类型:N沟道
SMF7N60的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)7A
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻1.2Ω @ 3.5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)48W
类型N沟道
SMF7N60
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SMF7N60 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.2Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):48W 类型:N沟道 | 华科HUAKE |  | 866.10 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
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 立创商城 | SMF7N60 | 华科HUAKE | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.2Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):48W 类型:N沟道 | 1+:¥1.5742 10+:¥1.1604 30+:¥1.0844 100+:¥1.0084 500+:¥0.9746 1000+:¥0.9579
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