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SMF12N65 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:850mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):51W 类型:N沟道
SMF12N65的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)650V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)12A

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻850mΩ @ 6A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)51W

类型N沟道

供应商SMF12N65
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集好芯城SMF12N65深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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SMF12N65连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:850mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):51W 类型:N沟道华科HUAKE华科HUAKE的LOGO801.24 Kbytes共5页SMF12N65的PDF下载地址
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SMF12N65华科HUAKE连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:850mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):51W 类型:N沟道1+:¥2.59
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500+:¥1.64
1000+:¥1.61