SMF12N60
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:800mΩ @6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):51W 类型:N沟道
SMF12N60的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)12A
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻800mΩ @6A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)51W
类型N沟道
SMF12N60
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SMF12N60 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:800mΩ @6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):51W 类型:N沟道 | 华科HUAKE |  | 800.97 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
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 立创商城 | SMF12N60 | 华科HUAKE | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:800mΩ @6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):51W 类型:N沟道 | 1+:¥2.61 10+:¥1.92 30+:¥1.8 100+:¥1.67 500+:¥1.61 1000+:¥1.59
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