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SMF12N60 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:800mΩ @6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):51W 类型:N沟道
SMF12N60的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)600V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)12A

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻800mΩ @6A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)51W

类型N沟道

供应商SMF12N60
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SMF12N60连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:800mΩ @6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):51W 类型:N沟道华科HUAKE华科HUAKE的LOGO800.97 Kbytes共5页SMF12N60的PDF下载地址
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SMF12N60华科HUAKE连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:800mΩ @6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):51W 类型:N沟道1+:¥2.61
10+:¥1.92
30+:¥1.8
100+:¥1.67
500+:¥1.61
1000+:¥1.59