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SM9926DSKC-TRG /连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.1V @ 250uA 漏源导通电阻:29mΩ @ 6.8A,2.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:双N沟道
SM9926DSKC-TRG的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)20V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)8A

栅源极阈值电压1.1V @ 250uA

漏源导通电阻29mΩ @ 6.8A,2.5V

最大功率耗散(Ta=25°C)2W

类型双N沟道

供应商SM9926DSKC-TRG
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SM9926DSKC-TRGSinopower(大中)连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.1V @ 250uA 漏源导通电阻:29mΩ @ 6.8A,2.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:双N沟道1+:¥1.2092
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