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SM95N03AD1RL /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：95A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：105W(Tc) 类型：N沟道

SM95N03AD1RL的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）30V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）95A(Tc)

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻5mΩ @ 30A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）105W(Tc)

类型N沟道

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SM95N03AD1RL	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：95A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：105W(Tc) 类型：N沟道	SPS(美国源芯)		5.58 Mbytes	共6页		无

SM95N03AD1RL的全球分销商及价格

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立创商城	SM95N03AD1RL	SPS(美国源芯)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：95A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：105W(Tc) 类型：N沟道	1+:￥0.8991 10+:￥0.6767 30+:￥0.63585 100+:￥0.595 500+:￥0.57685 1000+:￥0.56785

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