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SM8404CSQC-TRG /连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.2A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA,2.3V @ 250uA 漏源导通电阻:34.5mΩ @ 5.5A,10V;39mΩ @ 5.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.6W 类型:N沟道和P沟道
SM8404CSQC-TRG的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)30V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)5.2A

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA,2.3V @ 250uA

漏源导通电阻34.5mΩ @ 5.5A,10V;39mΩ @ 5.2A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)1.6W

类型N沟道和P沟道

供应商SM8404CSQC-TRG
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SM8404CSQC-TRGSinopower(大中)连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.2A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA,2.3V @ 250uA 漏源导通电阻:34.5mΩ @ 5.5A,10V;39mΩ @ 5.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.6W 类型:N沟道和P沟道1+:¥1.341
10+:¥0.9871
30+:¥0.9221
100+:¥0.8571
500+:¥0.8282
1000+:¥0.814