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商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)6.3A,6A
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA,2.3V @ 250uA
漏源导通电阻34.5mΩ @ 6.3A,10V;39mΩ @ 6A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)2.1W
类型N沟道和P沟道