图像仅供参考,请参阅规格书
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)-30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)64A(Tc),85A(Tc)
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻5.2mΩ @ 20A,10V;1.8mΩ @ 30A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)35W(Tc),83W(Tc)
类型双N沟道(半桥)