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商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)64A,85A
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻7.5mΩ @ 15A,4.5V;2.5mΩ @ 15A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)35W,83W
类型双N沟道