SM2363PSAC-TRG
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.8A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:225mΩ @ 1.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.56W 类型:P沟道
SM2363PSAC-TRG的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)-60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)1.8A
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻225mΩ @ 1.8A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)1.56W
类型P沟道
SM2363PSAC-TRG
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SM2363PSAC-TRG | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.8A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:225mΩ @ 1.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.56W 类型:P沟道 | Sinopower(大中) |  | 230.10 Kbytes | 共10页 |  | 无 |
SM2363PSAC-TRG的全球分销商及价格
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 立创商城 | SM2363PSAC-TRG | Sinopower(大中) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.8A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:225mΩ @ 1.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.56W 类型:P沟道 | 1+:¥0.8221 10+:¥0.6206 30+:¥0.5836 100+:¥0.5466 500+:¥0.5302 1000+:¥0.5221
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