图像仅供参考,请参阅规格书
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)-20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)2.8A
栅源极阈值电压900mV @ 250uA
漏源导通电阻100mΩ @ 2.8A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)900mW
类型P沟道