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SKML2803 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：45mΩ @ 2A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：N沟道

SKML2803的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）20V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）2A

栅源极阈值电压1.2V @ 250uA

漏源导通电阻45mΩ @ 2A,4.5V

最大功率耗散（Ta=25°C）1W

类型N沟道

SKML2803

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型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
SKML2803	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors	SKTECHNOLGY[SHIKUES Electronics]		436.67 Kbytes	共2页		无

SKML2803的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
立创商城	SKML2803	SHIKUES(时科)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：45mΩ @ 2A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：N沟道	10+:￥0.337125 100+:￥0.253481 300+:￥0.238117 1000+:￥0.222754 5000+:￥0.215926 10000+:￥0.212552

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