通道类型：N

最大连续漏极电流：180 A

最大漏源电压：200 V

最大漏源电阻值：11 m0hms

最大栅阈值电压：4V

最小栅阈值电压：2.1V

最大栅源电压：-20 V、+20 V

封装类型：SEMITRANSM1

安装类型：表面贴装

晶体管配置：单

引脚数目：4

通道模式：增强

类别：功率 MOSFET

典型接通延迟时间：100 ns

典型关断延迟时间：900 ns

典型输入电容值@Vds：16 nF @ 25 V

系列：SKM

每片芯片元件数目：1

最低工作温度：-40 °C

宽度：42mm

长度：78mm

高度：29mm

尺寸：78 x 42 x 29mm

最高工作温度：+150 °C

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs