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SK3415 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.2A 漏源电压（Vdss）：-25V 栅源极阈值电压：1.3V @ 250uA 漏源导通电阻：130mΩ @ 4.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：P沟道

SK3415的规格信息

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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）-25V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）4.2A

栅源极阈值电压1.3V @ 250uA

漏源导通电阻130mΩ @ 4.2A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）-

类型P沟道

SK3415

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型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
SK3415	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.2A 漏源电压（Vdss）：-25V 栅源极阈值电压：1.3V @ 250uA 漏源导通电阻：130mΩ @ 4.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：P沟道	SHIKUES(时科)		559.49 Kbytes	共3页		无
SK3415K	P-Channel Enhancement Mode MOSFET	SKTECHNOLGY[SHIKUES Electronics]		559.1 Kbytes	共4页		无

SK3415的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
立创商城	SK3415	SHIKUES(时科)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.2A 漏源电压（Vdss）：-25V 栅源极阈值电压：1.3V @ 250uA 漏源导通电阻：130mΩ @ 4.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：P沟道	10+:￥0.373239 100+:￥0.274779 300+:￥0.256694 1000+:￥0.23861 5000+:￥0.230572 10000+:￥0.226601

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