SK3414
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.5A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:60mΩ @ 4A,2.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:N沟道
SK3414的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)4.5A
栅源极阈值电压1.4V @ 250uA
漏源导通电阻60mΩ @ 4A,2.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)1.4W
类型N沟道
SK3414
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SK3414 | Plastic-Encapsulate Transistors MOSFET(N-Channel) | SKTECHNOLGY[SHIKUES Electronics] | ![SKTECHNOLGY[SHIKUES Electronics]的LOGO](/PdfSupLogo/1005SKTECHNOLGY.GIF) | 281.94 Kbytes | 共2页 |  | 无 |
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