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SK337N /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.3V @ 250uA 漏源导通电阻：80mΩ @ 3.6A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道

SK337N的规格信息

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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）20V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）3A

栅源极阈值电压1.3V @ 250uA

漏源导通电阻80mΩ @ 3.6A,4.5V

最大功率耗散（Ta=25°C）-

类型N沟道

SK337N

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型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
SK337N	N-Channel Enhancement Mode MOSFET	SKTECHNOLGY[SHIKUES Electronics]		471.31 Kbytes	共4页		无

SK337N的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
立创商城	SK337N	SHIKUES(时科)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.3V @ 250uA 漏源导通电阻：80mΩ @ 3.6A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道	10+:￥0.318278 100+:￥0.23931 300+:￥0.224805 1000+:￥0.210301 5000+:￥0.203855 10000+:￥0.200669

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