SK335N的供应商，SK335N规格参数，SK335N的PDF资料

SK335N /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.3V @ 250uA 漏源导通电阻：80mΩ @ 3.6A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道

SK335N的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）20V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）2A

栅源极阈值电压1.3V @ 250uA

漏源导通电阻80mΩ @ 3.6A,4.5V

最大功率耗散（Ta=25°C）-

类型N沟道

SK335N

SK335N的供应商,可免费索样

SK335N及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	PDF大小	PDF页数	相关型号
SK335N	N-Channel Enhancement Mode MOSFET	SKTECHNOLGY[SHIKUES Electronics]	471.16 Kbytes	共4页	无
SK335N700100	SK33 distribution box, top mounting 3-pole M8-A sockets, built-in control cable	SHIELD[SHIELD s.r.l.]	566.63 Kbytes	共4页	无
SK335N706100	SK33 distribution box, top mounting 3-pole M8-A sockets, built-in control cable	SHIELD[SHIELD s.r.l.]	566.63 Kbytes	共4页	无

SK335N的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
立创商城	SK335N	SHIKUES(时科)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.3V @ 250uA 漏源导通电阻：80mΩ @ 3.6A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道	10+:￥0.316288 100+:￥0.237813 300+:￥0.2234 1000+:￥0.208986 5000+:￥0.20258 10000+:￥0.199415

SK335N的相关型号