FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

DraintoSourceVoltage(Vdss)：600V

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：15A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：76nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：1350pF @ 100V

Vgs（最大值）：±30V

功率耗散（最大值）：34W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：280 毫欧 @ 8A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3 整包

封装形式Package：TO-220-3

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：650V

连续漏极电流ID：15A

漏源极导通电阻RDS(ON)：280mOhms

栅源极阀值电压VGS(th)：4V

Id-连续漏极电流：15A

Pd-功率耗散：34W

Qg-栅极电荷：38nC

Rds On-漏源导通电阻：280mOhms

Vds-漏源极击穿电压：650V

Vgs - 栅极-源极电压：30V

Vgs th-栅源极阈值电压：4V

上升时间：51ns

下降时间：33ns

典型关闭延迟时间：35ns

典型接通延迟时间：17ns

安装风格：ThroughHole

宽度：4.7mm

封装/外壳：TO-220FP-3

晶体管极性：N-Channel

最大工作温度：+150C

最小工作温度：-55C

系列：E

通道数量：1Channel

通道模式：Enhancement

配置：Single

长度：10.41mm

高度：15.49mm

无铅情况/RoHs：否