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SIHA12N50E-E3 /MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
SIHA12N50E-E3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220FP-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:550 V

Id-连续漏极电流:10.5 A

Rds On-漏源导通电阻:380 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:25 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:32 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

高度:15.49 mm

长度:10.41 mm

系列:E

宽度:4.7 mm

商标:Vishay / Siliconix

下降时间:12 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:16 ns

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:29 ns

典型接通延迟时间:13 ns

单位重量:6 g

供应商SIHA12N50E-E3
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10+:¥12.42
25+:¥11.09
100+:¥9.98
250+:¥8.8799
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1000+:¥6.43
2500+:¥5.991+:¥10.93
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SIHA12N50E-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 10.5A TO220$0.97295
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