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SIB912DK-T1-GE3 /MOSFET 20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-75
SIB912DK-T1-GE3的规格信息
SIB912DK-T1-GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-SC75-6

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:1.5 A

Rds On-漏源导通电阻:216 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:400 mV

Vgs - 栅极-源极电压:8 V

Qg-栅极电荷:3 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:3.1 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET, PowerPAK

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:0.75 mm

长度:1.6 mm

系列:SIB

晶体管类型:2 N-Channel

宽度:1.6 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:3 S

下降时间:8 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:10 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:24 ns

典型接通延迟时间:5 ns

零件号别名:SIB912DK-GE3

单位重量:96 mg

供应商SIB912DK-T1-GE3
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17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
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北京显周科技有限公司SIB912DK-T1-GE3北京市海淀区西三旗沁春家园1号楼、2号楼、3号楼2层201-2036010-85525361
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SIB912DK-T1-GE3Dual N-Channel 20-V MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO232.67 Kbytes共9页SIB912DK-T1-GE3的PDF下载地址无
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元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		SIB912DK-T1-GE3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 1.5A 3.1W 216mohm @ 4.5V3000+:￥1.24
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Mouser 贸泽电子		SIB912DK-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-751:¥4.5313
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立创商城		SIB912DK-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.5A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：216mΩ @ 1.8A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：双N沟道1+:￥3.9
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