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SIB900EDK-T1-GE3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SIB900EDK-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 阵列

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

FET 类型:2 个 N 沟道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.5A

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):225 毫欧 @ 1.6A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1.7nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):-

功率 - 最大值:3.1W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:PowerPAK® SC-75-6L 双

供应商器件封装:PowerPAK® SC-75-6L 双

其它名称:SIB900EDK-T1-GE3TRSIB900EDKT1GE3

供应商SIB900EDK-T1-GE3
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SIB900EDK-T1-GE3Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO229.86 Kbytes共9页SIB900EDK-T1-GE3的PDF下载地址
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SIB900EDK-T1-GE3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品1+:¥4.43
10+:¥3.75
25+:¥3.28
100+:¥2.81
250+:¥2.43
500+:¥2.07
1000+:¥1.591+:¥3.42
10+:¥2.53
100+:¥1.89
500+:¥1.6
1000+:¥1.41
3000+:¥1.3499
6000+:¥1.3499
9000+:¥1.24
24000+:
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SIB900EDK-T1-GE3Vishay SiliconixDUAL N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel3,000 : $0.1863
14,999 : $0.1721
29,999 : $0.1685
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Digi-Key 得捷电子
SIB900EDK-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6$0.55000
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Digi-Key 得捷电子
SIB900EDK-T1-GE3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品1+:¥4.43
10+:¥3.75
25+:¥3.28
100+:¥2.81
250+:¥2.43
500+:¥2.07
1000+:¥1.59
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Digi-Key 得捷电子
SIB900EDK-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-610 : $0.484
1 : $0.56
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Mouser 贸泽电子
SIB900EDK-T1-GE3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品1+:¥4.43
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10+:¥2.53
100+:¥1.89
500+:¥1.6
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3000+:¥1.3499
6000+:¥1.3499
9000+:¥1.24
24000+:¥1.2