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SI8902EDB-T2-E1 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SI8902EDB-T2-E1的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 阵列

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

FET 类型:2 N 沟道(双)共漏

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.9A

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):-

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 980µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):-

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):-

功率 - 最大值:1W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:6-MICRO FOOT®CSP

供应商器件封装:6-Micro Foot?

其它名称:SI8902EDB-T2-E1TRSI8902EDBT2E1

供应商SI8902EDB-T2-E1
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深圳市坤融电子有限公司SI8902EDB-T2-E1航都大厦10I0755-23990975
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肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市科思奇电子科技有限公司SI8902EDB-T2-E1上步工业区501栋1109-11100755-83245050
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张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
深圳市赛美科科技有限公司SI8902EDB-T2-E1广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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深圳市宸远科技有限公司SI8902EDB-T2-E1 MOS(场效应管)深圳市福田区华强北街道中航北苑B座9B40755-23481624
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彭先生,许娜Email:3004325620@qq.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SI8902EDB-T2-E1深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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集好芯城SI8902EDB-T2-E1深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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深圳市瑞浩芯科技有限公司SI8902EDB-T2-E1深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873
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SI8902EDB-T2-E1Bi-Directional N-Channel 20-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO205.7 Kbytes共9页SI8902EDB-T2-E1的PDF下载地址
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SI8902EDB-T2-E1VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品1+:¥13.23
10+:¥11.94
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100+:¥9.62
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SI8902EDB-T2-E1Vishay SiliconixTRANS MOSFET N-CH 20V 3.9A 6PIN MICRO FOOT - Tape and Reel3,000 : $0.7861
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SI8902EDB-T2-E1Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6-MFPActive
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Mouser 贸泽电子
SI8902EDB-T2-E1Vishay / SiliconixMOSFET 20V 5.0A 1.7W 45mohm @ 4.5V1:¥13.6052
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Mouser 贸泽电子
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