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SI8900EDB-T2-E1 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SI8900EDB-T2-E1的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 阵列

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

FET 类型:2 N 沟道(双)共漏

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5.4A

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):-

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 1.1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):-

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):-

功率 - 最大值:1W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:10-UFBGA,CSPBGA

供应商器件封装:10-Micro Foot?(2x5)

其它名称:SI8900EDB-T2-E1TR

供应商SI8900EDB-T2-E1
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SI8900EDB-T2-E1VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:¥10.653000+:¥10.87
6000+:¥10.5399
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SI8900EDB-T2-E1Vishay / SiliconixMOSFET 20V 7.0A 1.8W Bi-Directional3,000:¥11.2209
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SI8900EDB-T2-E1VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:¥10.653000+:¥10.87
6000+:¥10.5399
9000+:¥10.34