标准包装：3,000

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：TrenchFET®

包装：带卷（TR）

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平栅极，1.2V 驱动

漏源极电压（Vdss）：8V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：16A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：23 毫欧 @ 1.5A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：800mV @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：26nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：1470pF @ 4V

功率 - 最大值：13W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-UFBGA

供应商器件封装：6-microfoot

其它名称：SI8416DB-T1-GE3TR