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SI8409DB-T1-E1 /Single P-Channel 30 V 46 mO 17 nC Surface Mount Power Mosfet - MICRO FOOT
SI8409DB-T1-E1的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

系列：TrenchFET®

FET类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：4.6A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，4.5V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1.4V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：26nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±12V

功率耗散（最大值）：1.47W（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：46 毫欧 @ 1A，4.5V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：4-XFBGA，CSPBGA

封装形式Package：MicroFoot-4

极性Polarity：P-CH

漏源极击穿电压VDSS：30V

连续漏极电流ID：3.6A

漏源极导通电阻RDS(ON)：1.052Ohms

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

供应商SI8409DB-T1-E1
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深圳市宇浩扬科技有限公司SI8409DB-T1-E1深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SI8409DB-T1-E1深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SI8409DB-T1-E1深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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深圳市坤融电子有限公司SI8409DB-T1-E1航都大厦10I0755-23990975
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深圳市芯泽盛世科技有限公司SI8409DB-T1-E1龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
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13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
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13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
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深圳市瑞浩芯科技有限公司SI8409DB-T1-E1深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
深圳市莱杰信科技有限公司SI8409DB-T1-E1深圳市福田区华强北上步工业区102栋西座619/香港新界中环工業大廈112-115號0755-28183929
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深圳市惊羽科技有限公司SI8409DB-T1-E1深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室实-单-专-线----135-7521-2775
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Avnet		SI8409DB-T1-E1VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 5.3A3000+:￥3.26
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SI8409DB-T1-E1VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 5.3A3000+:￥3.26
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Mouser 贸泽电子		SI8409DB-T1-E1VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 5.3A3000+:￥3.26
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Mouser 贸泽电子		SI8409DB-T1-E1Vishay / SiliconixMOSFET -30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.61:¥8.5315
10:¥7.0851
100:¥5.4353
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6000+:￥3.6701
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立创商城		SI8409DB-T1-E1VISHAY(威世)预售晶体管1+:￥16.08
200+:￥6.23
500+:￥6.01
1000+:￥5.9
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