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SI8401DB-T1-E3 /Single P-Channel 20 V 0.065 Ohms Surface Mount Power Mosfet - MICRO FOOT
SI8401DB-T1-E3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

系列:TrenchFET®

FET类型:P 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

电流-连续漏极(Id)(25°C时):3.6A(Ta)

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):2.5V,4.5V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):17nC @ 4.5V

Vgs(最大值):±12V

功率耗散(最大值):1.47W(Ta)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):65 毫欧 @ 1A,4.5V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:4-XFBGA,CSPBGA

封装形式Package:MicroFoot-4

极性Polarity:P-CH

漏源极击穿电压VDSS:20V

连续漏极电流ID:3.6A

漏源极导通电阻RDS(ON):65mOhms

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商SI8401DB-T1-E3
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SI8401DB-T1-E3P-Channel 20-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO83.72 Kbytes共5页SI8401DB-T1-E3的PDF下载地址SI4943DY,SI7911DN,AF4415P,SI3495DV,SI1901DL,SI5433DC,SI7705DN,SI7485DP,SI9434BDY,SI3467DV
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SI8401DB-T1-E3Siliconix / VishayP-CHANNEL 20V (D-S) MOSFET+3000:$1.71
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SI8401DB-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:¥7.261+:¥13.25
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SI8401DB-T1-E3Vishay SiliconixTRANS MOSFET P-CH 20V 3.6A 4PIN MICRO FOOT - Tape and Reel3,000 : $1.0149
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SI8401DB-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 3.6A 2X2 4-MFP3,000 : $0.999
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SI8401DB-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 4.9A 2.77W 65mohm @ 4.5V1:¥17.5941
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Mouser 贸泽电子
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SI8401DB-T1-E3VISHAY(威世)预售芯片1+:¥9.53
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