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SI8275DB-IM1R /4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR
SI8275DB-IM1R的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

包装标准卷带

系列汽车级,AEC-Q100

零件状态有源

技术容性耦合

通道数2

电压 - 隔离2500Vrms

共模瞬态抗扰度(最小值)150kV/µs

传播延迟 tpLH / tpHL(最大值)60ns,60ns

脉宽失真(最大)8ns

上升/下降时间(典型值)10.5ns,13.3ns

电流 - 输出高,低1.8A,4A

电流 - 峰值输出4A

电压 - 正向(Vf)(典型值)-

电压 -输出供电4.2V ~ 30V

工作温度-40°C ~ 125°C

安装类型表面贴装型

封装/外壳14-VDFN

供应商器件封装14-QFN(5x5)

认可CQC,CSA,UL,VDE

供应商SI8275DB-IM1R
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