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SI8275DBD-IS1 /4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR
SI8275DBD-IS1的规格信息
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包装

系列汽车级,AEC-Q100

零件状态有源

技术容性耦合

通道数2

电压 - 隔离2500Vrms

共模瞬态抗扰度(最小值)200kV/µs

传播延迟 tpLH / tpHL(最大值)75ns,75ns

脉宽失真(最大)8ns

上升/下降时间(典型值)10.5ns,13.3ns

电流 - 输出高,低1.8A,4A

电流 - 峰值输出4A

电压 - 正向(Vf)(典型值)-

电流 - DC 正向(If)-

电压 -输出供电4.2V ~ 30V

工作温度-40°C ~ 125°C

安装类型表面贴装型

封装/外壳16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装16-SOIC

认可CQC,CSA,UL,VDE

供应商SI8275DBD-IS1
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