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SI4228DY-T1-GE3 /MOSFET 25V Vds 12V Vgs SO-8
SI4228DY-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SO-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:25 V

Id-连续漏极电流:8 A

Rds On-漏源导通电阻:18 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:600 mV

Vgs - 栅极-源极电压:12 V

Qg-栅极电荷:25 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:3.1 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SI4

晶体管类型:2 N-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:68 S

下降时间:10 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:12 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:21 ns

典型接通延迟时间:7 ns

零件号别名:SI4228DY-GE3

单位重量:506.600 mg

供应商SI4228DY-T1-GE3
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上海三崧电子有限公司SI4228DY-T1-GE3上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
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13352985419
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深圳市宇浩扬科技有限公司SI4228DY-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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”13725596657“17503034873
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深圳市华芯盛世科技有限公司SI4228DY-T1-GE3深圳市福田区上步工业区201栋530室0755-23941632
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SI4228DY-T1-GE3Dual N-Channel 25 V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO281.61 Kbytes共10页SI4228DY-T1-GE3的PDF下载地址
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SI4228DY-T1-GE3Vishay SiliconixDUAL N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel2,500 : $0.3587
12,499 : $0.3394
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SI4228DY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC$0.91000
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Digi-Key 得捷电子
SI4228DY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC10 : $0.76
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SI4228DY-T1-GE3Vishay IntertechnologiesSi4228DY Series 25 V 8 A 18 mOhm Surface Mount Dual N-Channel MOSFET - SOIC-8
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2,500 : $0.3056
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