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SI4214DDY-T1-E3 /MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
SI4214DDY-T1-E3的规格信息
SI4214DDY-T1-E3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SO-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:8.5 A

Rds On-漏源导通电阻:19.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:22 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:3.1 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:Reel

晶体管类型:2 N-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:27 S

下降时间:12 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:45 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:18 ns

典型接通延迟时间:14 ns

单位重量:74 mg

供应商SI4214DDY-T1-E3
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SI4214DDY-T1-E3Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO189.04 Kbytes共9页SI4214DDY-T1-E3的PDF下载地址无
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